大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(n2018年中秋节是几月几号，2018年中秋节是哪一天阳历ián)美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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