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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，18krgp带钻的值钱吗 项链上的18krgp值钱吗rong>美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露(lù)过(guò)美(měi)光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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