大(dà)家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严(yán)重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Fla所想皆所愿,所愿皆所得的意思是什么，所想皆所愿,所愿皆所得的意思英文sh （闪存）市(shì)场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析所想皆所愿,所愿皆所得的意思是什么，所想皆所愿,所愿皆所得的意思英文，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为(wèi)75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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