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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国际(jì)存(c闺蜜说他老公特别大怎么回复，闺蜜说他老公特别大怎么安慰ún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购闺蜜说他老公特别大怎么回复，闺蜜说他老公特别大怎么安慰国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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