大家好，来(lái)看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患(h画的作者是谁 画的作者是高鼎吗uàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(liàn)画的作者是谁 画的作者是高鼎吗安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、画的作者是谁 画的作者是高鼎吗美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 画的作者是谁 画的作者是高鼎吗