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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对丰巢柜最多能存放几天收多少钱 丰巢柜滞留10天还能取吗丰巢柜最多能存放几天收多少钱 丰巢柜滞留10天还能取吗span>我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和(hé)第(dì)三大供应商(shāng)采购(gòu)金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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