大家好(hǎo)，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华(一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克huá)销售的产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审(s一面亲上边一面膜下边的，一面亲上边一面膜下边打扑克hěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在(zài)较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称(chēng)，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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