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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司(sī)披(pī)露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(lià重庆小面调料哪个牌子正宗一些呢 重庆小面是碱水面吗ng)的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆(jīn重庆小面调料哪个牌子正宗一些呢 重庆小面是碱水面吗g)科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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