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　　美(měi)光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下(xià)游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāngpa和mpa单位换算和pa，1mpa等于多少payle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>gpa和mpa单位换算和pa，1mpa等于多少pag)关公(gōng)司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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