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　　美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家(jiā)关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存(cún)储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，<酸笋可以直接吃吗，酸笋可以直接吃吗有毒吗strong>国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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