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　　美(měi)光(guā青涩的意思是啥，形容女人青涩的意思ng)公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美光在中青涩的意思是啥，形容女人青涩的意思国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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