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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停(arctan0等于多少派，arctan0等于多少兀怎么算tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不(bù)是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、arctan0等于多少派，arctan0等于多少兀怎么算lor: #ff0000; line-height: 24px;'>arctan0等于多少派，arctan0等于多少兀怎么算长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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