大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规，科长相当于什么级别？我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国(guó)内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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