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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应(y48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗īng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照(zhà48k纸是多少厘米 48k纸是a4纸的一半吗o)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合(hé)作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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