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　　美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(sh唐山大地震和汶川大地震哪个严重ěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经唐山大地震和汶川大地震哪个严重(jīng)过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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