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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全1039违章代码是什么意思 1039违章代码扣分吗审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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