大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全ln的公式大全，ln4-ln2等于多少风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也ln的公式大全，ln4-ln2等于多少(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(mln的公式大全，ln4-ln2等于多少ěi)层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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