大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美56是什么意思 56是什么尺码(měi)光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链(li56是什么意思 56是什么尺码àn)造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设56是什么意思 56是什么尺码施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数(shù)据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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