大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国话说三遍淡如水下一句是什么意思，话说三遍淡如水下一句是什么成语内(nèi)关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存话说三遍淡如水下一句是什么意思，话说三遍淡如水下一句是什么成语）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或(huò)从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

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