大家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yu建军是哪一年án)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购(gòu)金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长建军是哪一年期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长(zhǎng)。

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