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见贤思齐下一句是啥,见贤思齐下一句论语 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一(yī)则(zé)突发(fā)消息。

  美光公司在华销售的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审查

  据网信办消息(xī),日前,网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

  审查发现(xiàn),美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn),对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全(quán)风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规,我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此次对美光(guāng)公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá),目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全,是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市(shì)场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维(wéi)护(hù)国家安(ān)全,依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一,2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

见贤思齐下一句是啥,见贤思齐下一句论语>  A股(gǔ)上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

  美(měi)光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降,至少已经不是主要大供应商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年(nián),江波(bō)龙第一大、第二大见贤思齐下一句是啥,见贤思齐下一句论语和(hé)第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约,确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī),如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将导(dǎo)致下(xià)游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士,国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

  分(fēn)析称(chēng),长存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可(kě)能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备国产化(huà)进程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升,以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收(shōu)入增长。

 

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