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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络(luò)安(ān)全法(f万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗ǎ)》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作万里长城是秦始皇造的吗，长城是秦始皇修建的吗。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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