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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安全问(wèn)题(tí越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》)隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全(quá越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》n)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大(dà)供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器(qì)的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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