大(dà)家好，来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进(jìn)入(rù)中(zhōng丁二醇和丙二醇是不是酒精)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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