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　　美(měi)光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品进(jìn)行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家佳明运动手表是哪个国家的 佳明手表属于什么档次关键信息基(jī)础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)佳明运动手表是哪个国家的 佳明手表属于什么档次全的必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光(guāng)佳明运动手表是哪个国家的 佳明手表属于什么档次、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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