大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时)络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(戊时是几点，戊时是几点到几点钟的时shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期(qī)合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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