大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.3勖存姿为什么没有碰喜宝，勖存姿为什么不碰喜宝5％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存勖存姿为什么没有碰喜宝，勖存姿为什么不碰喜宝储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。

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