大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)在太空呼吸一口会怎么样，外太空呼吸是什么感觉场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo在太空呼吸一口会怎么样，外太空呼吸是什么感觉)，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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