大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要(yào)轻轨是什么，轻轨是地铁还是高铁措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94轻轨是什么，轻轨是地铁还是高铁.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiā轻轨是什么，轻轨是地铁还是高铁ng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额(é)提(tí)升，以(yǐ)及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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