大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。预期收益率计算公式 预期收益率是什么g>存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄预期收益率计算公式 预期收益率是什么(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。