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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照(zhào)《网络(luò)安全(quán)审查办法(fǎ)甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写》，对美光公(gōng)司(甲醚的结构式是什么什么形状，甲醚的结构简式怎么写sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来(lái)自中国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链(liàn)上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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