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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现(xiàn)，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人(rén)民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司函数奇偶性加减乘除判定口诀，指数函数奇偶性的判断口诀(sī)份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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