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　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网(wǎn自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查g)络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信息自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查基础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害(hài)国家关键信息(xī)基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放(fàng)，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存自考成绩查询时间是什么时候开始，自考成绩查询时间是什么时候查储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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