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　　美(měi)光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国(guó)网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)兰州理工大学是一本还是二本 兰州理工大学是211吗咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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