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世界上傻子最多的国家,哪个国家傻子多

世界上傻子最多的国家,哪个国家傻子多 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络安全审(shěn)查

  据网信办消(xiāo)息,日前(qián),网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公(gōng)司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患,对(duì)我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安(ān)全。为此,网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查,目的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全,是(shì)维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开放,只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采购!

  3月(yuè)31日,中国(guó)网信网发文称,为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全,防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》,网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头,也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江(jiāng)波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng),至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了(le)长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性,巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì),公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(世界上傻子最多的国家,哪个国家傻子多hàn)长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的(de)合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国(guó)区销售受到(dào)限制,或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士,国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Zn世界上傻子最多的国家,哪个国家傻子多m的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子(zi)披露,薄膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关公(gōng)司份额提升,以及(jí)存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗(xǐ))等收入增长。

 

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