大家好(hǎo)，来(lái)看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未通过(guò)网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键(jbno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗iàn)信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

未经允许不得转载：惠安汇通石材有限公司 bno护照是什么意思 bno护照是英国国籍吗