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回族女人为什么离婚少 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来看一则突(tū)发(fā)消息。

  美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

  审查(chá)发(fā)现,美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn),对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险,影响我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规,我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美光公司回族女人为什么离婚少产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán),是维(wéi)护国(guó)家安回族女人为什么离婚少(ān)全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务(wù)进入中国市场。

  半(bàn)导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成网络安全风险,维护国家安全(quán),依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》,网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查。

  半导(dǎo)体突发(fā)!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57%降至(zhì)2022年约11%。根据(jù)市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司(sī)中,江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应商。

  美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng),采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优(yōu)势,公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士,国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

  分析(xī)称(chēng),长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤,同时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自长江存储被加入美国限制名(míng)单(dān),设(shè)备国(guó)产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜(mó)沉积(jī))等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升(shēng),以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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