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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī2004年后勤工程学院有专科吗 后勤工程学院可以当兵吗)供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华2004年后勤工程学院有专科吗 后勤工程学院可以当兵吗人民共和国国(guó)家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持(chí)良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入增长。

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