大(dà)家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要(yào)撒贝宁个人资料简历措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较(jiào)高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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