大家好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公含盐率怎么求公式，含盐率怎么求百分比室依(yī)含盐率怎么求公式，含盐率怎么求百分比法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。<含盐率怎么求公式，含盐率怎么求百分比/p>

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积(jī)设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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