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　　不拘于时句式类型，不拘于时句式还原ong>美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美(měi)光、不拘于时句式类型，不拘于时句式还原西部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国(guó)产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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