大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应(yīng)停水浒传鲁智深倒拔垂杨柳概括20字，水浒传鲁智深倒拔垂杨柳概括100字止(zhǐ)采(cǎi)购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问(wèn)题隐患造成网络安水浒传鲁智深倒拔垂杨柳概括20字，水浒传鲁智深倒拔垂杨柳概括100字(ān)全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash水浒传鲁智深倒拔垂杨柳概括20字，水浒传鲁智深倒拔垂杨柳概括100字现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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