大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未蟑螂在床上爬了还能睡吗，蟑螂在床上爬了还能睡吗lor: #ff0000; line-height: 24px;'>蟑螂在床上爬了还能睡吗，蟑螂在床上爬了还能睡吗通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关(guān)键信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进(jìn)高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三蟑螂在床上爬了还能睡吗，蟑螂在床上爬了还能睡吗大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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