大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的(de)碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也(yě)是(shì)全碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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