大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风险(xiǎn)顶的速度越来越快越叫的原因，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(q顶的速度越来越快越叫的原因ǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波顶的速度越来越快越叫的原因(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名(míng)单(dān)，设(shè)备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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