大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠733是什么意思、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Sol733是什么意思idigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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