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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售产品(pǐn)进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子(zi)、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(j复活的作者是谁，复活的作者是谁ìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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