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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造(zào)成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(吴亦凡现在在哪里关着yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报(吴亦凡现在在哪里关着00; line-height: 24px;'>吴亦凡现在在哪里关着bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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