大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合(hé)六加一等于几是什么梗，抖音六加一是什么意思t: 24px;'>六加一等于几是什么梗，抖音六加一是什么意思肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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