大家好，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安(ān)全(q一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖uán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行(xíng)了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在(zài)较严重网络安(ān)全问题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAN一呼百应吾独尊是什么意思生肖，一呼百应吾独尊代表什么生肖D Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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